مصدر الكتاب
تم نشر هذا الكتاب بهدف النفع العام، وذلك بموجب رخصة المشاع الإبداعي، أو بناءً على موافقة من المؤلف أو دار النشر. في حال وجود أي اعتراض على النشر، يُرجى التواصل معنا لنتخذ الإجراء المناسب.

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design PDF - فينود كومار خانا
فينود كومار خانا • هندسة الاتصالات • ٣٠ الصفحات
(0)
المؤلف
فينود كومار خاناالفئة
مجالاتالقسم
عدد التنزيلات
٥٤
عدد القراءات
١٠٩
حجم الملف
1.10 MB
المشاهدات
١٬٠٠٦
اقتباس
مراجعة
حفظ
مشاركة
وصف الكتاب
About Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design by Vinod Kumar Khanna
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design is a highly specialized and comprehensive engineering reference that explores the theory, structure, operation, modeling, fabrication, and applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), one of the most important semiconductor devices in modern power electronics. Written by Vinod Kumar Khanna, the book serves as an advanced technical guide for engineers, researchers, graduate students, and professionals working in semiconductor technology, electrical engineering, power electronics, and device fabrication.
Published by Wiley-IEEE Press, this work is widely recognized for its detailed treatment of both the physical principles and practical engineering considerations involved in IGBT design. The text bridges the gap between semiconductor physics and real-world industrial applications, making it valuable for readers who want a deeper understanding of how high-power switching devices are developed and optimized. (Wiley-VCH)
A Detailed Exploration of IGBT Technology
The book begins by examining the evolution of power semiconductor devices and the emergence of the IGBT as a crucial component in medium- and high-power electronic systems. It explains how the IGBT combines the advantages of MOSFET technology with bipolar transistor characteristics, creating a device capable of handling high voltages and currents while maintaining efficient switching performance. (Wiley-VCH)
One of the major strengths of this book is its methodical explanation of semiconductor device physics. Readers are introduced to the MOS and bipolar components of the IGBT in a structured and technically rigorous manner. The author carefully explains carrier transport mechanisms, conductivity modulation, switching behavior, thermal effects, and device reliability, helping readers understand not only how IGBTs operate but also why specific design choices affect performance.
The discussion extends beyond theory into practical engineering design. The text covers:
IGBT structure and operational principles
- Device physics and analytical modeling
- Latch-up mechanisms and suppression techniques
- Process design and semiconductor fabrication
- Packaging and thermal management
- Power module integration
Switching performance and safe operating areas
Emerging IGBT structures and advanced technologies
These topics make the book especially valuable for engineers involved in power converter systems, motor drives, renewable energy electronics, industrial automation, electric vehicle systems, and high-power switching applications. (Wiley-VCH)
Strong Focus on Semiconductor Device Design
Unlike introductory electronics books that only explain how transistors are used in circuits, this title focuses deeply on the internal design and fabrication of semiconductor devices themselves. The author guides readers through the selection of silicon materials, doping considerations, structural optimization, fabrication technologies, and performance trade-offs involved in developing reliable IGBTs for industrial use.
This makes the book particularly useful for readers interested in:
Power semiconductor engineering
Microelectronics and VLSI technology
Semiconductor fabrication processes
Device simulation and modeling
Industrial power electronics design
Advanced electrical engineering research
Because of its technical depth, the book is commonly considered an advanced academic and professional resource rather than a beginner-friendly introduction. Readers with prior knowledge of semiconductor physics, electronic devices, and circuit theory will benefit most from the material.
Technical Depth and Academic Value
The writing style is analytical, engineering-oriented, and academically rigorous. Mathematical modeling, semiconductor equations, and device behavior analysis are integrated throughout the chapters, allowing readers to build a strong conceptual foundation in IGBT operation and design methodology.
The book is also appreciated for connecting theoretical concepts with industrial relevance. Topics such as thermal performance, reliability testing, switching losses, packaging constraints, and module integration are discussed in the context of real-world engineering challenges. This practical orientation helps readers understand why IGBTs became essential components in modern power systems including:
Variable frequency drives (VFDs)
UPS systems
Industrial motor control
Renewable energy inverters
Electric transportation systems
High-power converters
Smart grid technologies
The author also addresses newer developments and innovative structures in IGBT technology, making the text useful not only for foundational learning but also for advanced research and technology development. (Wiley-VCH)
Why This Book Stands Out
Many books on power electronics focus mainly on applications and circuit design, but Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design stands out because it concentrates specifically on the semiconductor device itself. Its comprehensive treatment of IGBT physics, fabrication, process technology, and structural innovations makes it one of the more specialized references available in this field.
Readers searching for books on:
IGBT theory
Power semiconductor devices
Semiconductor fabrication
Advanced transistor design
Power electronics engineering
Device modeling and simulation
Electrical engineering research
will find this text especially relevant and informative.
The book’s extensive coverage, technical precision, and engineering focus have made it a respected reference among researchers and professionals working in power semiconductor technology. (Wiley-VCH)
About the Author
Vinod Kumar Khanna is known for his work in semiconductor devices and power electronics research. He has been associated with advanced research in solid-state device technology and has contributed to the field through technical publications and engineering education. His expertise in semiconductor process design and device fabrication is clearly reflected in the depth and technical quality of this book. (Wiley-VCH)
Final Overview
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design is an authoritative engineering resource for readers seeking a deep and technically detailed understanding of IGBT technology and power semiconductor device engineering. Combining semiconductor physics, device modeling, fabrication methods, packaging considerations, and industrial applications, the book provides a complete view of one of the most important switching devices used in modern power electronics.
For graduate students, semiconductor researchers, electrical engineers, and professionals involved in high-power electronic systems, this book offers both theoretical depth and practical engineering insight, making it a valuable addition to advanced electronics and semiconductor engineering libraries.
فينود كومار خانا
ولد فينود كومار خانا في 25 نوفمبر 1952 في لكناو ، أوتار براديش ، الهند ، وهو عالم فخري في هندسة الإلكترونيات معهد البحوث ، بيلاني ، راجستان ، الهند ، وأستاذ فخري ، AcSIR (أكاديمية البحث العلمي والابتكاري) ، الهند. وهو كبير العلماء والرئيس السابق لمجموعة MEMS and Microsensors Group و CSIR-CEERI و Pilani وأستاذ في AcSIR. خلال فترة خدمته لأكثر من 34 عامًا في CSIR-CEERI ، بدءًا من أبريل 1980 ، عمل على العديد من مشاريع البحث والتطوير على أجهزة أشباه الموصلات (مقوم التيار العالي والجهد العالي ، ترانزستور انحراف التلفزيون عالي الجهد ، ترانزستور دارلينجتون للطاقة ، ثايرستور للتبديل السريع ، DMOSFET و IGBT) ، مقياس جرعات نيوترون ثنائي الصمام الثنائي ومقياس جرعات أشعة غاما PMOSFET ، ترانزستور تأثير المجال الحساس للأيونات (ISFET) ، مستشعر غاز مدمج في السخان الصغير ، محول طاقة بالموجات فوق الصوتية بالسعة MEMS (CMUT) ، و أجهزة MEMS الأخرى. كانت اهتماماته البحثية عبارة عن أجهزة استشعار دقيقة ومتناهية الصغر وأجهزة أشباه موصلات الطاقة. من عام 1977 إلى عام 1979 ، كان مساعد باحث في قسم الفيزياء بجامعة لكناو. تشمل مندوبات الدكتور خانا في الخارج جامعة جامعة دارمشتات للتكنولوجيا ، ألمانيا ، 1999 ؛ معهد كورت شواب للقياس وتكنولوجيا الاستشعار e.V. ، Meinsberg ، ألمانيا ، 2008 ؛ ومعهد الفيزياء الكيميائية ، نوفوسيبيرسك ، روسيا ، 2009. كما شارك وقدم أوراق بحثية في الاجتماع السنوي IEEE-IAS ، دنفر ، كولورادو ، الولايات المتحدة الأمريكية ، 1986. حصل الدكتور خانا على درجة الماجستير. حاصل على درجة في الفيزياء مع تخصص في الإلكترونيات من جامعة لكناو عام 1975 ، ودكتوراه. حصل على درجة البكالوريوس في الفيزياء من جامعة كوروكشيترا ، كوروكشيترا ، هاريانا ، في عام 1988 لعمله على مستشعر الرطوبة بأكسيد الألومنيوم ذي الأغشية الرقيقة. زميل في معهد مهندسي الإلكترونيات والاتصالات (IETE) بالهند ، وهو عضو مدى الحياة في جمعية الفيزياء الهندية (IPA) ، وجمعية أشباه الموصلات (SSI) ، والهند والرابطة التقنية الهندية الفرنسية. نشر الدكتور خانا تسعة كتب وستة فصول في كتب محررة و 181 بحثًا في المجلات الوطنية / الدولية ووقائع المؤتمرات. وهو حاصل على براءتي اختراع من الولايات المتحدة واثنتين من الهند.
اكسب مكافآت أثناء القراءة!
كل 10 صفحات تقرؤها وتقضى فيها 30 ثانية تمنحك 5 نقاط مكافأة! واصل القراءة لفتح الإنجازات والمزايا الحصرية.
اقرأ
قيم الآن
5 نجوم
4 نجوم
3 نجوم
2 نجوم
1 نجوم
اقتباسات Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
الأعلى تقييماً
الأحدث
اقتباس
كن أول من يترك اقتباسًا واكسب 10 نقاط
بدلاً من 3
التعليقات
كن أول من يترك تعليقًا واكسب 5 نقاط
بدلاً من 3