Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

ولد فينود كومار خانا في 25 نوفمبر 1952 في لكناو ، أوتار براديش ، الهند ، وهو عالم فخري في هندسة الإلكترونيات معهد البحوث ، بيلاني ، راجستان ، الهند ، وأستاذ فخري ، AcSIR (أكاديمية البحث العلمي والابتكاري) ، الهند. وهو كبير العلماء والرئيس السابق لمجموعة MEMS and Microsensors Group و CSIR-CEERI و Pilani وأستاذ في AcSIR. خلال فترة خدمته لأكثر من 34 عامًا في CSIR-CEERI ، بدءًا من أبريل 1980 ، عمل على العديد من مشاريع البحث والتطوير على أجهزة أشباه الموصلات (مقوم التيار العالي والجهد العالي ، ترانزستور انحراف التلفزيون عالي الجهد ، ترانزستور دارلينجتون للطاقة ، ثايرستور للتبديل السريع ، DMOSFET و IGBT) ، مقياس جرعات نيوترون ثنائي الصمام الثنائي ومقياس جرعات أشعة غاما PMOSFET ، ترانزستور تأثير المجال الحساس للأيونات (ISFET) ، مستشعر غاز مدمج في السخان الصغير ، محول طاقة بالموجات فوق الصوتية بالسعة MEMS (CMUT) ، و أجهزة MEMS الأخرى. كانت اهتماماته البحثية عبارة عن أجهزة استشعار دقيقة ومتناهية الصغر وأجهزة أشباه موصلات الطاقة. من عام 1977 إلى عام 1979 ، كان مساعد باحث في قسم الفيزياء بجامعة لكناو. تشمل مندوبات الدكتور خانا في الخارج جامعة جامعة دارمشتات للتكنولوجيا ، ألمانيا ، 1999 ؛ معهد كورت شواب للقياس وتكنولوجيا الاستشعار e.V. ، Meinsberg ، ألمانيا ، 2008 ؛ ومعهد الفيزياء الكيميائية ، نوفوسيبيرسك ، روسيا ، 2009. كما شارك وقدم أوراق بحثية في الاجتماع السنوي IEEE-IAS ، دنفر ، كولورادو ، الولايات المتحدة الأمريكية ، 1986. حصل الدكتور خانا على درجة الماجستير. حاصل على درجة في الفيزياء مع تخصص في الإلكترونيات من جامعة لكناو عام 1975 ، ودكتوراه. حصل على درجة البكالوريوس في الفيزياء من جامعة كوروكشيترا ، كوروكشيترا ، هاريانا ، في عام 1988 لعمله على مستشعر الرطوبة بأكسيد الألومنيوم ذي الأغشية الرقيقة. زميل في معهد مهندسي الإلكترونيات والاتصالات (IETE) بالهند ، وهو عضو مدى الحياة في جمعية الفيزياء الهندية (IPA) ، وجمعية أشباه الموصلات (SSI) ، والهند والرابطة التقنية الهندية الفرنسية. نشر الدكتور خانا تسعة كتب وستة فصول في كتب محررة و 181 بحثًا في المجلات الوطنية / الدولية ووقائع المؤتمرات. وهو حاصل على براءتي اختراع من الولايات المتحدة واثنتين من الهند.